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CN649 TR

产品描述DIODE GP 600V 400MA DO-41SP
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小292KB,共6页
制造商Central Semiconductor
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CN649 TR概述

DIODE GP 600V 400MA DO-41SP

CN649 TR规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)400mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 400mA
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流200nA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容11pF @ 12V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41
工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

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DATA SHEET
CN645 THRU CN649
GLASS PASSIVATED JUNCTION
GENERAL PURPOSE DIODE
DO-41SP CASE
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CN645 Series types are Glass Passivated Junction general-purpose diodes, which are
well constructed, highly reliable components designed for use in all types of commercial, industrial, entertainment, computer
and automotive applications.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Working Reverse Voltage
VRWM
Average Forward Current
IO
Average Forward Current (TA=150°C)
IO
Peak Forward Surge Current
IFSM
Power Dissipation
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
CN645 CN646 CN647 CN648 CN649
225
300
400
500
600
400
150
3.0
600
-65 to 150
UNITS
V
mA
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
CN645
CN646
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX MIN MAX
VBR
IR=100µA, TA=100°C
275
360
IR
VR=RATED VRWM, TA=100°C
15
15
IR
VR=RATED VRWM
0.2
0.2
VF
IF=400mA
1.0
1.0
CT
VR=12V, f=1.0MHz
11 TYP
11 TYP
CN647
MIN MAX
480
20
0.2
1.0
11 TYP
CN648
MIN MAX
600
20
0.2
1.0
11 TYP
CN649
MIN MAX
720
25
0.2
1.0
11 TYP
UNITS
V
µA
µA
V
pF
(SEE REVERSE SIDE)
R1

CN649 TR相似产品对比

CN649 TR CN645 TR CN649 BK CN646 TR CN647 TR CN648 TR CN646 BK CN647 BK CN648 BK
描述 DIODE GP 600V 400MA DO-41SP diodes - general purpose, power, switching leaded silicon diode general purpose DIODE GP 600V 400MA DO-41SP DIODE GP 300V 400MA DO-41SP DIODE GP 400V 400MA DO-41SP DIODE GP 500V 400MA DO-41SP DIODE GP 300V 400MA DO-41SP DIODE GP 400V 400MA DO-41SP DIODE GP 500V 400MA DO-41SP
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 600V - 600V 300V 400V 500V 300V 400V 500V
电流 - 平均整流(Io) 400mA - 400mA 400mA 400mA 400mA 400mA 400mA 400mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1V @ 400mA - 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA 1V @ 400mA
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 200nA @ 600V - 200nA @ 600V 200nA @ 300V 200nA @ 400V 200nA @ 500V 200nA @ 300V 200nA @ 400V 200nA @ 500V
不同 Vr,F 时的电容 11pF @ 12V,1MHz - 11pF @ 12V,1MHz 11pF @ 12V,1MHz 11pF @ 12V,1MHz 11pF @ 12V,1MHz 11pF @ 12V,1MHz 11pF @ 12V,1MHz 11pF @ 12V,1MHz
安装类型 通孔 - 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔 通孔
封装/外壳 DO-204AL,DO-41,轴向 - DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向 DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装 DO-41 - DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C - -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C
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