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AO4606L

产品描述MOSFET N-CH 8SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小543KB,共9页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
标准
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AO4606L概述

MOSFET N-CH 8SOIC

AO4606L规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 和 P 沟道互补型
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)30 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)310pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

AO4606L相似产品对比

AO4606L AO4606
描述 MOSFET N-CH 8SOIC 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A,6.5A 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道 N+P双沟道,30V/6A(-30V/-6.5A)
漏源电压(Vdss) 30V 30V
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