IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
| 参数名称 | 属性值 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - 移动 |
| 存储容量 | 64Mb （2M x 32） |
| 时钟频率 | 166MHz |
| 访问时间 | 5.5ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压 - 电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 90-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 90-TFBGA（8x13） |
| IS42RM32200K-6BLI-TR | IS42RM32200K-6BLI | |
|---|---|---|
| 描述 | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA | IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA |
| 存储器类型 | 易失 | 易失 |
| 存储器格式 | DRAM | DRAM |
| 技术 | SDRAM - 移动 | SDRAM - 移动 |
| 存储容量 | 64Mb （2M x 32） | 64Mb （2M x 32） |
| 时钟频率 | 166MHz | 166MHz |
| 访问时间 | 5.5ns | 5.5ns |
| 存储器接口 | 并联 | 并联 |
| 电压 - 电源 | 2.3 V ~ 2.7 V | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 90-TFBGA | 90-TFBGA |
| 供应商器件封装 | 90-TFBGA（8x13） | 90-TFBGA（8x13） |
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