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MRF8372GR2

产品描述TRANS NPN 16V 200MA SO8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小166KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MRF8372GR2概述

TRANS NPN 16V 200MA SO8

MRF8372GR2规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)16V
频率 - 跃迁870MHz
增益8dB ~ 9.5dB
功率 - 最大值2.2W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)30 @ 50mA,5V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)200mA
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF555
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 11 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
Power Macro
Designed primarily for wideband large signal stages in
the UHF frequency range.
DESCRIPTION:
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
16
30
3.0
500
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75ºC
Derate above 75ºC
3.0
40
Watts
mW/ ºC
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