MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Nexperia |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 |
针数 | 4 |
制造商包装代码 | SOT669 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas) | 47 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (ID) | 37.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.024 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | MO-235 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150.7 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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