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RDBLS207GHC1G

产品描述BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小200KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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RDBLS207GHC1G概述

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS

RDBLS207GHC1G规格参数

参数名称属性值
二极管类型单相
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)1kV
电流 - 平均整流(Io)2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.15V @ 2A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流2µA @ 1000V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳4-SMD,鸥翼
供应商器件封装DBLS

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RDBLS207G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
2A, 1000V Fast Recovery Glass Passivated Bridge Rectifier
FEATURES
- Ideal for automated placement
- Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
DBLS
MECHANICAL DATA
Case:
Molded plastic body
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Weight:
0.36 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 2 A
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs,1% duty cycle
Note 2: Reverse recovery time test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
T
J
=25°C
T
J
=125°C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
V
F
t
rr
I
R
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
RDBLS207G
1000
700
1000
2
50
10.3
1.15
300
2
500
22
62
- 55 to +150
- 55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
ns
μA
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D0000152
Version: A15

RDBLS207GHC1G相似产品对比

RDBLS207GHC1G RDBLS207G RDG RDBLS207G C1G RDBLS207GHRDG
描述 BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
二极管类型 单相 单相 单相 单相
技术 标准 标准 标准 标准
电压 - 峰值反向(最大值) 1kV 1kV 1kV 1kV
电流 - 平均整流(Io) 2A 2A 2A 2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.15V @ 2A 1.15V @ 2A 1.15V @ 2A 1.15V @ 2A
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 2µA @ 1000V 2µA @ 1000V 2µA @ 1000V 2µA @ 1000V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 4-SMD,鸥翼 4-SMD,鸥翼 4-SMD,鸥翼 4-SMD,鸥翼
供应商器件封装 DBLS DBLS DBLS DBLS
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