SN74ACT00PWE4在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SN74ACT00PWE4	-	-	点击查看	点击购买

SN74ACT00PWE4概述

Logic Gates Quadruple 2-Input Positive-NAND gates

SN74ACT00PWE4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	TSSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP14,.25
针数	14
Reach Compliance Code	unknow
系列	ACT
JESD-30 代码	R-PDSO-G14
JESD-609代码	e4
长度	5 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE
最大I（ol）	0.024 A
湿度敏感等级	1
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP14,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	9.5 ns
传播延迟（tpd）	9.5 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	4.4 mm

SN74ACT00PWE4相似产品对比

	SN74ACT00PWE4	SN74ACT00PWRG4	SN74ACT00PWRE4	SN74ACT00NSRG4	SN74ACT00NSRE4	SN74ACT00PWG4	SN74ACT00DE4	SN74ACT00DBRG4	SN74ACT00DBRE4
描述	Logic Gates Quadruple 2-Input Positive-NAND gates	Quadruple 2-Input Positive-NAND Gates 14-TSSOP -40 to 85	Logic Gates Quadruple 2-Input Positive-NAND gates	Logic Gates Quad 2Input Pos-NAND	Logic Gates Quadruple 2-Input Positive-NAND gates	Logic Gates Quad 2Input Pos-NAND	Logic Gates Quadruple 2-Input Positive-NAND gates	Logic Gates Quad 2Input Pos-NAND	Logic Gates Quadruple 2-Input Positive-NAND gates
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	SOIC	SOIC	TSSOP	SOIC	SSOP	SSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP14,.25	TSSOP, TSSOP14,.25	TSSOP, TSSOP14,.25	SOP, SOP14,.3	SOP, SOP14,.3	TSSOP, TSSOP14,.25	SOP, SOP14,.25	SSOP, SSOP14,.3	SSOP, SSOP14,.3
针数	14	14	14	14	14	14	14	14	14
Reach Compliance Code	unknow	compli	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
系列	ACT	ACT	ACT	ACT	ACT	ACT	ACT	ACT	ACT
JESD-30 代码	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4
长度	5 mm	5 mm	5 mm	10.2 mm	10.2 mm	5 mm	8.65 mm	6.2 mm	6.2 mm
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE	NAND GATE
最大I（ol）	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	4	4	4	4	4	4	4	4	4
输入次数	2	2	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	SOP	SOP	TSSOP	SOP	SSOP	SSOP
封装等效代码	TSSOP14,.25	TSSOP14,.25	TSSOP14,.25	SOP14,.3	SOP14,.3	TSSOP14,.25	SOP14,.25	SSOP14,.3	SSOP14,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Su	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns
传播延迟（tpd）	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns	9.5 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	2 mm	2 mm	1.2 mm	1.75 mm	2 mm	2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	4.4 mm	4.4 mm	4.4 mm	5.3 mm	5.3 mm	4.4 mm	3.9 mm	5.3 mm	5.3 mm
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
包装方法	-	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL	TUBE	TUBE	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL

推荐资源

电话听筒编码电路

输出采用直流耦合的15至60W音频放大器电路

【低功耗】Virtex-6和Spartan-6+FPGA功耗减半性能翻倍: 77300...; 莫妮卡 FPGA/CPLD

ADS1220的问题: 426379 426380 我的ADS1220电路如上图。原来用的STM32F767，电路图用的3.3V. 现在用的STM32F407，用的5V. 原来的程序力值有点不准，现在程序没怎么改，可是有问题。五块板子， ......; chenbingjy stm32/stm8

新手入门DM365控制管理RTL8306: 使用DM365控制管理RTL8306交换芯片，实现分vlan（类似于路由器的功能），新手该从哪儿入手？哪里有这方面的资料？...; wangkj11 嵌入式系统

AD16的PCB中出现了白色的小圆圈: 我在生成PCB的时候，出现了这种的小圆圈，白色的，细线，每个上面都标注这“...; 胡豆豆的春天 PCB设计

为什么智能水表都用一次性的17450(或其他型号)的一次性锂电池，为什么不用可多次充电: 为什么智能水表都用一次性的17450(或其他型号)的一次性锂电池，为什么不用可多次充电的锂电池，是价格因素，还是其他什么因素？ ...; 一沙一世 stm32/stm8

输出不了低电平: 我用STM32做小车的主控板，控制步进电机，用的是L298驱动板，程序如下我的程序如下 #include "stm32f10x_it.h" #include "stm32f10x_conf.h" #include "stm32f10x.h" #include #inc ......; V一舟 stm32/stm8

SK海力士Q1利润暴涨400%：内存闪存已有卖不动迹象

4月10日消息，史无前例的内存、闪存大涨价让存储芯片企业数钱数到手抽筋，三星Q1季度利润大涨750%以上，远超此前最乐观的预计，现在SK海力士Q1也快发财报了，同样会爆发。花旗银行最新报告将SK海力士的目标股价从155万韩元提升到了170万韩元，相比当前的价位还有60%的上涨空间。之所以这么乐观，是Q1季度SK海力士的财报极其被看好，营收将达到52万亿韩元，而且营业利润将达到39.1万亿韩元...[详细]
越南与三星磋商谅解备忘录，消息称有望带来 40 亿美元芯片封装投资

4 月 10 日消息，参考彭博社昨日报道，越南财政部同日在声明中确认，正与三星就一份半导体领域投资合作谅解备忘录展开谈判。而根据匿名知情人士的透露，三星电子计划斥资 40 亿美元（现汇率约合 273.82 亿元人民币）在越南北部太原省建设一座芯片封装厂。该工厂将分期建设，首阶段投资规模为 20 亿美元。截至 2024 年，三星集团已累计对越南投资 224 亿美元，产业布局覆盖家电、显示、消费...[详细]
行业应用——AI服务器机柜直流母排（Busbar）温升测试

直流母排（Busbar）作为电力传输的关键部件，承担着将电源模块（PSU）的电能高效、低损耗地输送至GPU、CPU等负载的重任。对直流母排进行准确、可靠的温升测试，已成为AI服务器机柜设计验证和产线品质控制中不可或缺的一环。一、直流母排（Busbar）温升测试需求在AI服务器数据中心母排母排温升测试中，对模拟工况电源主要提出了以下需求：二、母排温升测试方案深圳市费...[详细]
曙光数创发布全球首个MW级基础设施整体解决方案

4月8日，曙光数创在“液冷聚能·智算向新”2026战略发布会上，正式发布全球首个MW级相变浸没液冷整机柜及其基础设施整体解决方案（C8000 V3.0）。中国科学院院士、河南大学校长张锁江在会上指出，在AI算力的强劲驱动下，智算中心的发展已不可逆转地迈入“兆瓦级时代”，这已非未来概率，而是正在发生的现实。面对这一变革，亟需在突破芯片效能的同时，攻克高效散热难题，推动相变冷却液与冷却系统的迭...[详细]
全球首个人形机器人国家级标准发布：140家企业，即将面临同一套游戏规则

一个行业繁荣到一定程度，会开始被自己的繁荣拖慢。截至2025年底，国内人形机器人整机企业超过140家，发布产品超过330款，2025年国内具身智能领域融资事件高达325起、金额达398.32亿元（IT桔子数据）。这组数字放在任何一个制造业赛道，都足以称得上狂飙。但这140多家企业，用的是140多套标准。接口不兼容，是行业公开的秘密。A家的关节模组装不进B家的机身，C家的感...[详细]
魏建军“五年论”泼向固态电池狂欢，理性预警or产业觉醒？

2026年的动力电池赛道，正上演着一场冰与火之歌。当产业界将2027年定为全固态电池的量产元年，并为此投入海量资源、按下加速键时，长城汽车董事长魏建军却在3月中旬的一则视频中，为这场狂欢泼了一盆冷水。他直言不讳地指出，全固态电池的规模化商业落地，仍需等待至少五年。那么魏建军此番表态是否是言之有物呢？今天就让我们来聊一聊这一话题！魏建军的冷思考从多个角度来看，魏建军的“五年...[详细]
新能源车BMS电池管理系统CAN数据矩阵开发完整指南

随着我国新能源汽车的崛起，从网络管理平台、数据中心、科研机构、高校教学、车型对标、整车DBC控制策略分析、电池管理系统研究、电池健康管理、网约车管理、电池梯度利用、车队管理等多方面的市场需求，完整分析一台新能源车BMS电池管理系统的CAN矩阵开发成为当下热门需求，不仅是数字化推动改革的需要，也是相关运营企业的核心。那么，我们需要做的首要工作，就是拿到底层技术开发的CAN数据，这些数据都能帮助到...[详细]
综述：固态激光雷达原理及基于超构表面的激光雷达传感器

激光雷达（LiDAR）已成为自动驾驶汽车领域极具前景的解决方案。在光束偏转机制方面，采用微机电系统（MEMS）和光学相控阵（OPA）的固态激光雷达，已被证明是相较于采用360°旋转反射镜的机械式激光雷达更加稳健且紧凑的替代方案。二维（2D）光学超构表面可通过调控相移来改变激光雷达的光束偏转角度。如果激光雷达系统仅需固定光束方向，则可采用静态超构表面；如果激光雷达系统需要光束扫描，则必须使用动态（...[详细]
硅晶圆大厂 SUMCO 胜高调整扩产计划，暂缓新厂建设

3 月 30 日消息，日本企业 SUMCO 胜高是全球头部硅晶圆制造商，该公司当地时间本月 27 日宣布调整原定的产能扩充计划。其从日本经济产业省获得的补贴金额也从原先的 750 亿日元下滑至 193 亿日元（现汇率约合 8.33 亿元人民币）。 SUMCO 将把精力主要放在佐贺县伊万里市等地现有工厂的升级改造上，优先发展适用于尖端制程的硅晶圆技术。对于佐贺县神埼郡吉野里町的新工厂项目，量产时间...[详细]
格创东智SEMICON CHINA 2026圆满收官，章鱼智脑与全场景智能体群定义工业智能决策新高度

3月27日，为期三天的 SEMICON CHINA 2026 在上海新国际博览中心圆满落幕。这场全球半导体行业的年度盛会，见证了从设备材料到制造工艺的诸多突破，而最引人注目的变化之一，莫过于AI与半导体智造的加速耦合。而位于E6馆6734展位的工业AI领军企业格创东智，用一套名为“章鱼智脑”的工业智能决策中枢与全场景智能体群，为业界勾勒出下一代智能工厂的核心轮廓。从“自动化”到...[详细]
Diodes推出符合汽车级标准的100V PowerDI®8080-5封装MOSFET

3月25日，美国半导体制造商Diodes Incorporated（Diodes）宣布扩展其符合汽车级标准的PowerDI8080-5 N沟道MOSFET产品组合，推出超低导通电阻RDS(ON）、100V MOSFET。图片来源： Diodes 与全新40V至80V MOSFET一同发布的还有8mm x 8mm鸥翼引线器件，旨在最大限度地减少导通损耗、降低发热量并提高整体效率。应用领...[详细]
如何将自动驾驶大模型庞大的能力压缩到车端？

在人工智能技术的发展进程中，大模型以惊人的泛化能力和逻辑推理水平，正改变着自动驾驶的技术路径。过去，自动驾驶系统主要依赖于人工规则和模块化设计，这种方式虽然在受控环境下表现稳定，但在面对复杂多变的城市道路场景和长尾场景时，就显得捉襟见肘。随着深度学习技术的演进，基于Transformer架构的大规模神经网络开始在感知、预测与规划任务中占据主导地位，展现出处理复杂交互和理解驾驶环境的巨大潜力...[详细]
Jetson GPU Burn烤机测试与PTX编程详解

Jetson GPU Burn烤机测试与PTX编程详解视频讲解：又见PTX，烤机神器Jetson GPU Burn实测（详细内容请参考原帖视频讲解部分）。 Jetson核心板测试GPU的应用程序需要考虑多程序占用GPU时的影响及GPU满负荷时温度的变化，这直接影响硬件、功耗和散热设计。以下介绍一个用于GPU烤机的实用程序。 GPU烤机程序安装与运行通过以下命令克隆并编译Jetson GPU ...[详细]
彻底杀死燃油车的全固态电池，真的要来了吗？

全固态电池要爆发了？最近钠离子电池很火，能量密度不错、低温性能好、安全性高、资源充足、成本低……仿佛要成为下一代电池。但真正的下一代电池依然是锂电池，而且是全固态锂电池，动辄400～500Wh/kg的能量密度，轻易就能达到1000多公里的纯电续航，充电10分钟“回血”上千公里，不比钠离子电池强多了？在2025年沉寂了一年之后，2026开年以来全固态电池的消息就没断过，只不过最近钠离子...[详细]
激光雷达开启“抢单大战”，龙头禾赛还是最大赢家

L3/L4商业化提速的号角已经吹响，市场红利期正式来临。一方面，工信部等四部门已正式发布《智能网联汽车准入和上路通行试点规划》，明确L4级车型的试点准入、上路标准。同时，北京、上海、广州等城市也已经开放全无人自动驾驶商业化运营为L4级无人物流、Robotaxi的规模化落地扫清了制度障碍。另一方面，广汽、吉利、奇瑞等主机厂已相继公布L3量产计划，而小鹏等车企则明确提出“跳过L3”，直接...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多