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MUR360SB M4G

产品描述DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小263KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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MUR360SB M4G概述

DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

MUR360SB M4G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)600V
电流 - 平均整流(Io)3A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.25V @ 3A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 600V
不同 Vr,F 时的电容40pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AA,SMB
供应商器件封装DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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MUR305SB - MUR320SB
Taiwan Semiconductor
3A, 50 - 200V Surface Mount Ultrafast Power Rectifier
FEATURES
Glass passivated chip junction
Ideal for automated placement
Ultrafast recovery time for high efficiency
Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
KEY PARAMETERS
PARAMETER
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
T
J MAX
Package
Configuration
VALUE
3
200
75
175
UNIT
A
V
A
°C
APPLICATIONS
Switching mode power supply (SMPS)
Adapters
Monitor
TV
DO-214AA (SMB)
Single Die
MECHANICAL DATA
● Case: DO-214AA (SMB)
● Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating
● Packing code with suffix "G" means green compound
(halogen-free)
● Part No. with suffix “H” means AEC-Q101 qualified
● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
● Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
● Meet JESD 201 class 2 whisker test
● Polarity: As marked
● Weight: 0.11 g (approximately)
DO-214AA (SMB)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Marking code on the device
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage, total rms value
Forward current
Surge peak forward current, 8.3 ms
single half sine-wave superimposed on
rated load per diode
Junction temperature
Storage temperature
SYMBOL MUR305SB MUR310SB MUR315SB MUR320SB UNIT
MUR305SB MUR310SB MUR315SB
MUR320SB
V
RRM
50
100
150
200
V
V
R(RMS)
35
70
105
140
V
I
F(AV)
I
FSM
T
J
T
STG
3
75
- 55 to +175
- 55 to +175
A
A
°C
°C
1
Version:B1702

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