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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> UNR211H00L
PDF数据手册

UNR211H00L

产品描述TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小587KB，共17页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
下载文档 详细参数 全文预览

UNR211H00L概述

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

UNR211H00L规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基底（R1）2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）10 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）30 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁150MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装迷你型3-G1

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