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UNR211100L

产品描述TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小587KB,共17页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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UNR211100L概述

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

UNR211100L规格参数

参数名称属性值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)10 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)35 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁80MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装迷你型3-G1
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