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2SD1819A0L

产品描述TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小234KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SD1819A0L概述

TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P

2SD1819A0L规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)100µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)160 @ 2mA,10V
功率 - 最大值150mW
频率 - 跃迁150MHz
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商器件封装S迷你型3-G1

2SD1819A0L相似产品对比

2SD1819A0L 2SD1819AR 2SD1819AS 2SD1819AQ 2SD1819ARL 2SD1819ASL 2SD1819AQL
描述 TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, S-MINI, SC-70, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, S-MINI, SC-70, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, S-MINI, SC-70, 3 PIN TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P TRANS NPN 50V 0.1A SMINI 3P
晶体管类型 NPN - - - NPN NPN NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA - - - 100mA 100mA 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V - - - 50V 50V 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 10mA,100mA - - - 300mV @ 10mA,100mA 300mV @ 10mA,100mA 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100µA - - - 100µA 100µA 100µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 2mA,10V - - - 210 @ 2mA,10V 290 @ 2mA,10V 160 @ 2mA,10V
功率 - 最大值 150mW - - - 150mW 150mW 150mW
频率 - 跃迁 150MHz - - - 150MHz 150MHz 150MHz
工作温度 150°C(TJ) - - - 150°C(TJ) 150°C(TJ) 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 - - - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323 - - - SC-70,SOT-323 SC-70,SOT-323 SC-70,SOT-323
供应商器件封装 S迷你型3-G1 - - - S迷你型3-G1 S迷你型3-G1 S迷你型3-G1
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