MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 3.2A |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 110 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 870pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 900mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
NDS9933 | FDD14AN06LA0 | NDS9933A | |
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描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC | MOSFET N-Channel PowerTrench | MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode |
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