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NDH8436

产品描述MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小293KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NDH8436概述

MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-8

NDH8436规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.8A(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)30 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)560pF @ 15V
安装类型表面贴装
供应商器件封装SuperSOT™-8
封装/外壳8-SMD,鸥翼

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