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IFN113

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
产品类别晶体管   
文件大小85KB,共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
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IFN113概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18

IFN113规格参数

参数名称属性值
厂商名称InterFET
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
JEDEC-95代码TO-18
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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01/99
D-3
Japanese Equivalent JFET Types
Silicon Junction Field-Effect Transistors
2SK113
IFN113
NJ132
N
Channel
2SK152
IFN152
NJ132L
N
Channel
2SK363
IFN363
NJ450
N
Channel
2SJ44
IFP44
PJ99
P
Channel
Japanese
InterFET
Process
Unit
Limit
Parameters
– 50
1.0
(– 20 V)
– 0.3/–10
(20 V)
5.0/150
(20 V)
20
(20 V)
10
(Ø) (20 V)
3.0
(Ø) (15 V)
TO-18
SDG
– 20
0.1
(–10 V)
– 0.5/– 2.0
(–10 V)
5.0/20
(10 V)
30
(10 V)
15
(Ø) (10 V)
4.0
(Ø) (10 V)
TO-18
SDG
– 40
1.0
(– 30 V)
– 0.3/– 1.2
(10 V)
5.0/30
(10 V)
60
(10 V)
75
(Ø) (10 V)
15
(Ø) (10 V)
TO-18
DGS
25
1.0
(10 V)
– 0.2/–1.5
(–10 V)
1.0/18
(–10 V)
9
(–10 V)
15
(Ø) (–10 V)
3
(Ø) (–10 V)
TO-18
DGS
V
Min
nA
Max
V
Min/Max
mA
Min/Max
mS
Typ
pF
Typ
pF
Typ
BV
GSS
I
GSS
V
GS(off)
I
DSS
g
fs
C
iss
C
rss
Package Configuration
Pin Configuration
www.interfet.com
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287
FAX
(972) 276-3375

IFN113相似产品对比

IFN113 2SK363 2SJ44 2SK113 2SK152 IFN152 IFP44
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION
JEDEC-95代码 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18 TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING AMPLIFIER AMPLIFIER SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
厂商名称 InterFET - - - InterFET InterFET InterFET
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