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SE12DGHM3/I

产品描述DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小110KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SE12DGHM3/I概述

DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC

SE12DGHM3/I规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)400V
电流 - 平均整流(Io)3.2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.15V @ 12A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)3µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流20µA @ 400V
不同 Vr,F 时的电容90pF @ 4V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
供应商器件封装TO-263AC(SMPD)
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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SE12DB, SE12DD, SE12DG, SE12DJ
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount ESD Capability Rectifiers
FEATURES
eSMP
®
Series
TO-263AC (SMPD)
K
• Very low profile - typical height of 1.7 mm
• Ideal for automated placement
• Oxide planar chip junction
• Low forward voltage drop
• ESD capability
• AEC-Q101 qualified
1
2
Top View
Bottom View
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260 °C
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
SE12DX
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
TYPICAL APPLICATIONS
General purpose, power line polarity protection, in both
consumer and automotive applications.
MECHANICAL DATA
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
at I
F
= 12 A (T
A
= 125 °C)
I
R
T
J
max.
Package
Diode variations
12 A
100 V, 200 V, 400 V, 600 V
125 A
0.96 V
20 μA
175 °C
TO-263AC (SMPD)
Single
Case:
TO-263AC (SMPD)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
commercial grade
Base P/NHM3 - halogen-free, RoHS-compliant, and
AEC-Q101 qualified
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
M3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HM3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum DC forward current
Peak forward surge current 10 ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
Notes
(1)
With heatsink
(2)
Free air, mounted on recommended copper pad area
SYMBOL
V
RRM
I
F (1)
I
F (2)
I
FSM
T
J
, T
STG
SE12DB
100
SE12DD
200
12
3.2
125
-55 to +175
SE12DG
400
SE12DJ
600
UNIT
V
A
A
°C
Revision: 13-Jan-16
Document Number: 89984
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

SE12DGHM3/I相似产品对比

SE12DGHM3/I SE12DD-M3/I SE12DG-M3/I SE12DB-M3/I SE12DDHM3/I
描述 DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC Rectifiers 12A, 200V, ESD PROTECTION, SMPD DIODE GEN PURP 400V 3.2A TO263AC DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC DIODE GEN PURP 200V 3.2A TO263AC
二极管类型 标准 - 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 400V - 400V 100V 200V
电流 - 平均整流(Io) 3.2A - 3.2A 3.2A 3.2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 1.15V @ 12A - 1.15V @ 12A 1.15V @ 12A 1.15V @ 12A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) - 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 3µs - 3µs 3µs 3µs
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 20µA @ 400V - 20µA @ 400V 20µA @ 100V 20µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容 90pF @ 4V,1MHz - 90pF @ 4V,1MHz 90pF @ 4V,1MHz 90pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装 - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 - TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
供应商器件封装 TO-263AC(SMPD) - TO-263AC(SMPD) TO-263AC(SMPD) TO-263AC(SMPD)
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C - -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C

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