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MA2C85600E

产品描述DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小230KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MA2C85600E概述

DIODE GEN PURP 35V 100MA DO34

MA2C85600E规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)35V
电流 - 平均整流(Io)100mA(DC)
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 100mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100nA @ 33V
不同 Vr,F 时的电容2pF @ 15V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AG,DO-34,轴向
供应商器件封装DO34-A1
工作温度 - 结-25°C ~ 85°C
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