电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FGB30N6S2

产品描述IGBT 600V 45A 167W TO263AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小139KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FGB30N6S2在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
FGB30N6S2 - - 点击查看 点击购买

FGB30N6S2概述

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

FGB30N6S2规格参数

参数名称属性值
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)108A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.5V @ 15V,12A
功率 - 最大值167W
开关能量55µJ(开),100µJ(关)
输入类型标准
栅极电荷23nC
25°C 时 Td(开/关)值6ns/40ns
测试条件390V,12A,10 欧姆,15V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263AB

FGB30N6S2相似产品对比

FGB30N6S2 FGP30N6S2 FGB30N6S2T
描述 IGBT 600V 45A 167W TO263AB IGBT 600V 45A 167W TO220AB IGBT 600V 45A 167W TO263AB
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V 600V 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 45A 45A 45A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 108A 108A 108A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.5V @ 15V,12A 2.5V @ 15V,12A 2.5V @ 15V,12A
功率 - 最大值 167W 167W 167W
开关能量 55µJ(开),100µJ(关) 55µJ(开),100µJ(关) 55µJ(开),110µJ(关)
输入类型 标准 标准 标准
栅极电荷 23nC 23nC 23nC
25°C 时 Td(开/关)值 6ns/40ns 6ns/40ns 6ns/40ns
测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V 390V,12A,10 欧姆,15V 390V,12A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 通孔 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB TO-220-3 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 TO-263AB TO-220AB TO-263AB

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 470  516  821  1607  1676 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved