MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 43A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 180W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| IRF1010NLPBF | IRF1010NSTRLPBF | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 | 漏源电压（Vdss）：55V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：85A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 43A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：180W(Tc) 类型：N沟道 |
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