MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 600 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 170µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 570pF @ 500V |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| IPU80R600P7AKMA1 | IPU80R600P7 | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3 | 800V CoolMOS TM P7 series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power. |
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