MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 4.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 900 毫欧 @ 2.3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 710pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 52W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | I-PAK |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved