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IF1330

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB
产品类别晶体管   
文件大小57KB,共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
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IF1330概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236AB

IF1330规格参数

参数名称属性值
厂商名称InterFET
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IF1330文档预览

01/99
B-31
IF1330
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ Low-Noise, High Gain Amplifier
Absolute maximum ratings at T
A
= 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage
Continuous Forward Gate Current
Continuous Device Power Dissipation
Power Derating
Storage Temperature Range
– 20 V
10 mA
225 mW
1.8 mW/°C
– 65°C to 200°C
At 25°C free air temperature:
Static Electrical Characteristics
IF1330
Min
Max
Unit
Process NJ132H
Test Conditions
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain Saturation Current (Pulsed)
Dynamic Electrical Characteristics
V
(BR)GSS
I
GSS
V
GS(OFF)
I
DSS
– 20
– 0.35
5
– 0.1
– 1.5
20
V
nA
V
mA
I
G
= – 1 µA, V
DS
= ØV
V
DS
= ØV, V
GS
= – 10V
V
DS
= 10V, I
D
= 0.5 nA
V
DS
= 10V, V
GS
= ØV
Common Source
Forward Transconductance
Common Source Input Capacitance
Common Source
Reverse Transfer Capacitance
g
fs
C
iss
C
rss
10
20
5
Typ
mS
pF
pF
V
DS
= 10V, I
D
= 5 mA
V
DS
= 10V, I
D
= 5 mA
V
DS
= 10V, I
D
= 5 mA
f = 1 kHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
Equivalent Short Circuit
Input Noise Voltage
e
N
¯
2.5
nV/√Hz
V
DS
= 10V, I
D
= 5 mA
f = 1 kHz
TOÐ236AB Package
Dimensions in Inches (mm)
Pin Configuration
1 Drain, 2 Source, 3 Gate
www.interfet.com
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287
FAX
(972) 276-3375

 
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