电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

UF1D R1G

产品描述DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小376KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

UF1D R1G概述

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

UF1D R1G规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流(Io)1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1V @ 1A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 200V
不同 Vr,F 时的电容17pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-204AL(DO-41)
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

文档预览

下载PDF文档
UF1A thru UF1M
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Glass passivated chip junction
- Excellent high temperature switching
- ldally suited for use in very high frequency
switching power supplies, inverters and as free
wheeling diodes
- Ultrafast recovery time for high efficiency
- Soft recovery characteristics
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Glass Passivated High Efficient Rectifiers
DO-204AL (DO-41)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-204AL (DO-41)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test,
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Weight:
0.33g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@1A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL UF1A UF1B UF1D UF1G UF1J UF1K UF1M
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
50
17
15
60
- 55 to +150
- 55 to +150
O
UNIT
V
V
V
A
A
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1
30
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
1.0
5
150
1.7
V
μA
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
75
ns
pF
C/W
O
O
C
C
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1405072
Version: F14
git-flow 备忘清单
125430...
qinkaiabc 编程基础
那些网上流传的pcb设计规则,你真的都有遵守吗?
372292 大家说说,实际上大家自己在画板的时候,都有哪些可以偷懒的小技巧? 我觉得有很多设计规则,其实不一定要遵守。大部分情况,能连通了就可以了。 ...
高进 聊聊、笑笑、闹闹
一个处于十分困难的人请教高人指点程序,,
puyiyue1980@126.com哪个发我邮箱好不??有程序要指点 本帖最后由 pyy1980 于 2010-7-3 20:47 编辑 ]...
pyy1980 单片机
ST的6轴或9轴传感器 LSM9DS1的问题
ST的6轴或9轴传感器 LSM9DS1的问题 大家有人在用 ST的6轴或9轴传感器吗? 官方是否有提供相关驱动? 我打算用LSM9DS1替换 MPU6050和HMC5883L,不知道是否可行? ...
pigeon0411 stm32/stm8
关于AD转换器输入端的保护设计
本人硬件菜鸟,在此请教各位大虾了,谢谢。 本人在设计中选用了一款AD转换器ADS1110,单端输入电压范围0-2.048v。 因为是运放驱动,所以考虑到上电时运放瞬间脉冲会损害AD,ADS1110最大承受10 ......
wangxinxin999 嵌入式系统
咨询一个关于磁珠的问题
如图一所示是某芯片公司提供的demo板上电源电路,经图二查询得知该磁珠阻抗600欧,而另外一个产品设计同样的一个电源电路用的磁珠确是10欧的,两个为什么差这么大,对于磁珠这部分不懂,求高手 ......
蛋炒土豆丝 电源技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 322  298  2508  2102  206  35  17  23  2  6 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved