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SN74V263-10GGM

产品描述FIFO 8192 x 18 Synch FIFO Memory
产品类别存储    存储   
文件大小752KB,共52页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

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SN74V263-10GGM概述

FIFO 8192 x 18 Synch FIFO Memory

SN74V263-10GGM规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA100,10X10,32
针数100
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间6.5 ns
其他特性CAN ALSO BE CONFIGURED AS 16384 X 9
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
周期时间10 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B100
长度10 mm
内存密度147456 bi
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA100,10X10,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.015 A
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm
Base Number Matches1
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