SIT8209AI-G-33E,SIT8209AI-G-33E pdf中文资料,SIT8209AI-G-33E引脚图,SIT8209AI-G-33E电路-Datasheet-电子工程世界

SIT8209AI-G-33E: 产品描述OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM; 产品类别无源元件; 文件大小102KB，共1页; 制造商SiTime; 标准

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SIT8209AI-G-33E概述

OSC PROG LVCMOS 3.3V EN/DS 20PPM

参数名称	属性值
类型	MEMS（硅）
可编程类型	由 Digi-Key 编程（请在网站订购单中输入您需要的频率）
可用频率范围	80.000001MHz ~ 220MHz
功能	启用/禁用
输出	LVCMOS，LVTTL
电压 - 电源	3.3V
频率稳定度	±20ppm
工作温度	-40°C ~ 85°C
电流 - 电源（最大值）	36mA
安装类型	表面贴装
封装/外壳	4-SMD，无引线
大小/尺寸	0.106" 长 x 0.094" 宽（2.70mm x 2.40mm）
高度	0.031"（0.79mm）
电流 - 电源（禁用）（最大值）	31mA

bq搭建保护电路的疑问: 如图，困惑是当充电时怎么理解CHG mos打开，CHG信号给H，那么G处为H，但是mos的S 是P-，怎么能够导通，意思是G、S两极不共地，怎么能导通当然想法肯定是错的，所以请大神指教...; qwqwqw2088 模拟与混合信号

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ