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BZD17C120P MQG

产品描述DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小194KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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BZD17C120P MQG概述

DIODE ZENER 120V 800MW SUB SMA

BZD17C120P MQG规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)120V
容差±5.41%
功率 - 最大值800mW
阻抗(最大值)(Zzt)300 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流1µA @ 91V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 200mA
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-219AB
供应商器件封装Sub SMA

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BZD17C SERIES
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
0.8W, 11V - 220V Voltage Regulator Diodes
FEATURES
- Silicon zener diodes
- Low profile surface-mount package
- Zener and surge current specification
- Low leakage current
- Excellent stability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
Sub SMA
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.019 g (approximately)
Sub SMA
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Forward voltage @ I
F
=0.2A
Power dissipation at T
L
=80°C
T
A
=25°C (Note 1)
Non-repetitive peak pulse power dissipation
100μs square pulse (Note 2)
Thermal resistance junction to ambient (Note 1)
Thermal resistance junction to lead
Operating and storage temperature range
Note 1: Mounted on Cu-Pad size 5mm x 5mm
Note 2: T
J
=25°C prior to surge
SYMBOL
V
F
Ptot
P
ZSM
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
STG
VALUE
1.2
2.3
0.8
300
180
30
-55 to +175
UNIT
Volts
Watts
Watts
°C/W
°C/W
°C
Document Number: DS_D1406033
Version: K15
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