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1N4729A TR

产品描述DIODE ZENER 3.6V 1W DO41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小580KB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准
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1N4729A TR概述

DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

1N4729A TR规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.6V
容差±5%
功率 - 最大值1W
阻抗(最大值)(Zzt)10 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流100µA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.2V @ 200mA
工作温度-65°C ~ 200°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装DO-41

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1N4728A THRU 1N4764A
SILICON ZENER DIODES
1.0 WATT, 3.3 THRU 100 VOLT
5% TOLERANCE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4728A series
silicon Zener diode is a highly reliable voltage regulator
designed for use in industrial, commercial, entertainment
and computer applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
ral
Cent
DO-41 CASE
MAXIMUM RATINGS:
Power Dissipation (TA=50°C)
Operating and Storage Temperature
SYMBOL
PD
TJ, Tstg
UNITS
W
°C
1.0
-65 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C) VF=1.2V MAX @ IF=200mA (for all types)
ZENER
VOLTAGE
VZ @ IZT
MIN
V
1N4728A
1N4729A
1N4730A
1N4731A
1N4732A
1N4733A
1N4734A
1N4735A
1N4736A
1N4737A
1N4738A
1N4739A
1N4740A
1N4741A
1N4742A
1N4743A
1N4744A
1N4745A
1N4746A
1N4747A
1N4748A
1N4749A
1N4750A
3.135
3.420
3.705
4.085
4.465
4.845
5.320
5.890
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
NOM
V
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
MAX
V
3.465
3.780
4.095
4.515
4.935
5.355
5.880
6.510
7.140
7.875
8.610
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
TEST
CURRENT
IZT
mA
76
69
64
58
53
49
45
41
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
MAXIMUM
ZENER IMPEDANCE
ZZT @ IZT
Ω
10
10
9.0
9.0
8.0
7.0
5.0
2.0
3.5
4.0
4.5
5.0
7.0
8.0
9.0
10
14
16
20
22
23
25
35
ZZK @
Ω
400
400
400
400
500
550
600
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
IZK
mA
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
IR @ VR
μA
100
100
50
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
MAXIMUM
DC
CURRENT
IZM
mA
1380
1260
1190
1070
970
890
810
730
660
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
MAXIMUM
TEMPERATURE
COEFFICIENT
@ IZT
ΘV
Z
% / °C
-0.08 to -0.05
-0.08 to -0.05
-0.07 to -0.02
-0.07 to -0.01
-0.03 to +0.04
-0.01 to +0.04
0 to +0.045
+0.01 to +0.055
+0.015 to +0.06
+0.02 to +0.065
+0.03 to +0.07
+0.035 to +0.075
+0.04 to +0.08
+0.045 to +0.08
+0.045 to +0.085
+0.05 to +0.085
+0.055 to +0.09
+0.055 to +0.09
+0.06 to +0.09
+0.06 to +0.09
+0.06 to +0.095
+0.06 to +0.095
+0.06 to +0.095
TYPE
R2 (14-October 2013)
射频宽带放大电路设计方案
(1)电压增益Av≥60dB,输入电压有效值Ui≤1mV。Av在0~60dB范围内可 调。 (2)在Av≥60dB时,输出端噪声电压的峰峰值UoNpp≤100mV。 (3)放大器BW-3dB的下限频率fL≤0.3MHz,上限频率fH ......
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老师好! 我成功了!!!~~...
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