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JANTXV1N6474US

产品描述T DAP UNI 1500W SM
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小312KB,共2页
制造商SEMTECH
官网地址http://www.semtech.com
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JANTXV1N6474US概述

T DAP UNI 1500W SM

JANTXV1N6474US规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMTECH
包装说明O-LELF-N2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压33 V
击穿电压标称值33 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压47.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LELF-N2
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/552C
最大重复峰值反向电压30.5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1

 
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