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ES2B-TP

产品描述DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小247KB,共4页
制造商Micro_Commercial_Co
标准
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ES2B-TP概述

DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

ES2B-TP规格参数

参数名称属性值
二极管类型标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)100V
电流 - 平均整流(Io)2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf975mV @ 2A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流5µA @ 100V
安装类型表面贴装
封装/外壳DO-214AC,SMA
供应商器件封装DO-214AC(HSMA)
工作温度 - 结-50°C ~ 150°C

ES2B-TP相似产品对比

ES2B-TP ES2A-TP ES2D-TP ES2C-TP
描述 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC
二极管类型 标准 标准 标准 标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 100V 50V 200V 150V
电流 - 平均整流(Io) 2A 2A 2A 2A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 975mV @ 2A 975mV @ 2A 975mV @ 2A 975mV @ 2A
速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr) 50ns 50ns 50ns 50ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 5µA @ 100V 5µA @ 50V 5µA @ 200V 5µA @ 150V
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA DO-214AC,SMA
供应商器件封装 DO-214AC(HSMA) DO-214AC(HSMA) DO-214AC(HSMA) DO-214AC(HSMA)
工作温度 - 结 -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C
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