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SR2030HC0G

产品描述DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小196KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SR2030HC0G概述

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB

SR2030HC0G规格参数

参数名称属性值
二极管配置1 对共阴极
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)30V
电流 - 平均整流(Io)(每二极管)20A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf550mV @ 10A
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500µA @ 30V
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

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SR2020 thru SR20150
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Dual Common Cathode Schottky Rectifier
TO-220AB
MECHANICAL DATA
Case:
TO-220AB
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test,
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
As marked
Mounting torque:
5 in-lbs maximum
Weight:
1.8 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
=10A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
0.55
0.5
I
R
dV/dt
R
θJC
T
J
T
STG
- 55 to +125
- 55 to +150
15
-
10000
1.0
- 55 to +150
10
SR
2020
20
14
20
SR
2030
30
21
30
SR
2040
40
28
40
SR
2050
50
35
50
20
200
0.70
0.90
0.1
-
5.0
V/μs
O
SR
2060
60
42
60
SR
90
63
90
SR
100
70
100
SR
150
105
150
2090 20100 20150
UNIT
V
V
V
A
A
1.00
V
mA
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C/W
O
O
C
C
Document Number: DS_D1308041
Version: I13
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