电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

GSID100A120T2C1

产品描述SILICON IGBT MODULES
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小357KB,共8页
制造商Global Communications
标准
下载文档 详细参数 全文预览

GSID100A120T2C1概述

SILICON IGBT MODULES

GSID100A120T2C1规格参数

参数名称属性值
配置三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)200A
功率 - 最大值640W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值)1mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies)13.7nF @ 25V
输入三相桥式整流器
NTC 热敏电阻
工作温度-40°C ~ 150°C
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装模块

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 483  526  667  742  1089 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved