SILICON IGBT MODULES
参数名称 | 属性值 |
配置 | 三相反相器 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 200A |
功率 - 最大值 | 640W |
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,100A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1mA |
不同 Vce 时的输入电容(Cies) | 13.7nF @ 25V |
输入 | 三相桥式整流器 |
NTC 热敏电阻 | 是 |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | 模块 |
供应商器件封装 | 模块 |
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