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NP60N03SUG-E1-AY

产品描述MOSFET N-CH 30V 60A TO-252
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小306KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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NP60N03SUG-E1-AY概述

MOSFET N-CH 30V 60A TO-252

NP60N03SUG-E1-AY规格参数

参数名称属性值
Brand NameRenesas
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码MP-3ZK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码PRSS0004ZV-A3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)60 A
最大漏极电流 (ID)60 A
最大漏源导通电阻0.0038 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)105 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)240 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NP60N03SUG-E1-AY相似产品对比

NP60N03SUG-E1-AY NP60N03SUG-E2-AY
描述 MOSFET N-CH 30V 60A TO-252 Nch Single Power MOSFET 30V 60A 3.8mohm MP-3ZK/TO-252 Automotive
Brand Name Renesas Renesas
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 MP-3ZK MP-3ZK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
制造商包装代码 PRSS0004ZV-A3 PRSS0004ZV-A3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 60 A 60 A
最大漏极电流 (ID) 60 A 60 A
最大漏源导通电阻 0.0038 Ω 0.0038 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 105 W 105 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 240 A 240 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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