NP80N055KLE-E1-AY,NP80N055KLE-E1-AY pdf中文资料,NP80N055KLE-E1-AY引脚图,NP80N055KLE-E1-AY电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY: 产品描述MOSFET N-CH 55V 80A TO-263; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小305KB，共12页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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NP80N055KLE-E1-AY概述

MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

NP80N055KLE-E1-AY规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Renesas
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	MP-25ZK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
制造商包装代码	PRSS0004AK-A3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	80 A
最大漏极电流 (ID)	80 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NP80N055KLE-E1-AY相似产品对比

	NP80N055KLE-E1-AY	NP80N055KLE-E2-AY	NP80N055ELE-E1-AY	NP80N055DLE-S12-AY
描述	MOSFET N-CH 55V 80A TO-263	80A, 55V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN	80A, 55V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN	80A, 55V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, LEAD FREE, MP-25, TO-262, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	MP-25ZK	D2PAK	D2PAK	TO-262AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	4	4	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	100 mJ	100 mJ	100 mJ	100 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	55 V	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	80 A	80 A	80 A	80 A
最大漏极电流 (ID)	80 A	80 A	80 A	80 A
最大漏源导通电阻	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω	0.015 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-263AB	TO-263AB	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	120 W	120 W	120 W	120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	200 A	200 A	200 A	200 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	NO
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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