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1N4448

产品描述0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小36KB,共2页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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1N4448概述

0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH

1N4448规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-XALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

1N4448相似产品对比

1N4448 1N4148
描述 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AH 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Comchip Technology Comchip Technology
包装说明 O-XALF-W2 O-XALF-W2
Reach Compliance Code compliant compli
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.15 A 0.15 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
最大重复峰值反向电压 75 V 75 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL

 
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