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APTMC120TAM34CT3AG

产品描述POWER MODULE - SIC MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小526KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APTMC120TAM34CT3AG概述

POWER MODULE - SIC MOSFET

APTMC120TAM34CT3AG规格参数

参数名称属性值
FET 类型6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能标准
漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)74A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)34 毫欧 @ 50A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 15mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)161nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2788pF @ 1000V
功率 - 最大值375W
工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型底座安装
封装/外壳模块
供应商器件封装SP3
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