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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SS9014D
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SS9014D

产品描述Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小36KB，共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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SS9014D概述

Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise

SS9014D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)400
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.45 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)270 MHz

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SS9014
SS9014
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
• High total power dissipation. (P
T
=450mW)
• High h
FE
and good linearity
• Complementary to SS9015
1
TO-92
1. Emitter 2. Base 3. Collector
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Parameter
Ratings
50
45
5
100
450
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
C
ob
f
T
NF
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Base Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Noise Figure
Test Condition
I
C
=100µA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=100µA, I
C
=0
V
CB
=50V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
V
CE
=5V, I
C
=2mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=0.2mA
f=1KHz, R
S
=2KΩ
150
0.58
60
280
0.14
0.84
0.63
2.2
270
0.9
10
Min.
50
45
5
50
50
1000
0.3
1.0
0.7
3.5
V
V
pF
MHz
dB
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
h
FE
Classification
Classification
h
FE
A
60 ~ 150
B
100 ~ 300
C
200 ~ 600
D
400 ~ 1000
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, May 2002

SS9014D相似产品对比

SS9014D SS9014 S9014 SS9014A SS9014B SS9014C
描述 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild - Fairchild Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-92 TO-92 - TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN - TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN TO-92, 3 PIN
针数 3 3 - 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE - LOW NOISE LOW NOISE -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A - 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V - 45 V 45 V -
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 400 60 - 60 100 -
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 - TO-92 TO-92 -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 -
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 -
元件数量 1 1 - 1 1 -
端子数量 3 3 - 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL - CYLINDRICAL CYLINDRICAL -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 NPN NPN - NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.45 W 0.45 W - 0.45 W 0.45 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO NO - NO NO -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE -
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON -
标称过渡频率 (fT) 270 MHz 270 MHz - 270 MHz 270 MHz -

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