1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
1M × 8 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, PDSO8
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.7 V |
额定供电电压 | 3 V |
最大时钟频率 | 50 MHz |
加工封装描述 | 6 × 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
工艺 | CMOS |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | NO 铅 |
端子间距 | 1.27 mm |
端子涂层 | 镍 钯 金 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 8 |
组织 | 1M × 8 |
存储密度 | 8.39E6 deg |
操作模式 | 同步 |
位数 | 1.05E6 words |
位数 | 1M |
内存IC类型 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 |
串行并行 | 串行 |
SST25VF080B-50-4C-QAF | SST25VF080B_07 | SST25VF080B-50-4I-QAF | SST25VF080B-50-4C-S2AF | |
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描述 | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
最大工作温度 | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel | 70 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel | 0.0 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
额定供电电压 | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
最大时钟频率 | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz |
加工封装描述 | 6 × 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 | 6 × 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 | 6 × 5 MM, ROHS COMPLIANT, WSON-8 | 0.200 INCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-8 |
无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes |
中国RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
工艺 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | SQUARE |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes | Yes | Yes | Yes |
端子形式 | NO 铅 | NO 铅 | NO 铅 | GULL WING |
端子间距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子涂层 | 镍 钯 金 | 镍 钯 金 | 镍 钯 金 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 | 双 | 双 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
组织 | 1M × 8 | 1M × 8 | 1M × 8 | 1M × 8 |
存储密度 | 8.39E6 deg | 8.39E6 deg | 8.39E6 deg | 8.39E6 deg |
操作模式 | 同步 | 同步 | 同步 | 同步 |
内存IC类型 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 | FLASH 2.7V 可编程只读存储器 |
串行并行 | 串行 | 串行 | 串行 | 串行 |
位数 | 1M | 1M | 1M | 1M |
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