IC AMP/DRIVER LN LP 16-QFN
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Linear Technology |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Linear ( ADI ) |
| 零件包装代码 | QFN |
| 包装说明 | HVQCCN, LCC16,.12SQ,20 |
| 针数 | 16 |
| 制造商包装代码 | UD |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 25 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz |
| 最小共模抑制比 | 55 dB |
| 标称共模抑制比 | 72 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-N16 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 3 mm |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | YES |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | -5.5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC16,.12SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.8 mm |
| 标称压摆率 | 200 V/us |
| 最大压摆率 | 12.1 mA |
| 供电电压上限 | 5.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 200000 kHz |
| 宽带 | YES |
| 宽度 | 3 mm |
| LTC6403IUD-1#TRPBF | LTC6403CUD-1#PBF | LTC6403CUD-1#TRPBF | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC AMP/DRIVER LN LP 16-QFN | IC AMP/DRIVER LN LP 16-QFN | IC AMP/DRIVER LN LP 16-QFN |
| Brand Name | Linear Technology | Linear Technology | Linear Technology |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Linear ( ADI ) | Linear ( ADI ) | Linear ( ADI ) |
| 零件包装代码 | QFN | QFN | QFN |
| 包装说明 | HVQCCN, LCC16,.12SQ,20 | HVQCCN, LCC16,.12SQ,20 | HVQCCN, LCC16,.12SQ,20 |
| 针数 | 16 | 16 | 16 |
| 制造商包装代码 | UD | UD | UD |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 25 µA | 25 µA | 25 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| 最小共模抑制比 | 55 dB | 55 dB | 55 dB |
| 标称共模抑制比 | 72 dB | 72 dB | 72 dB |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 5 µA | 5 µA | 5 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV | 2000 µV | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-N16 | S-PQCC-N16 | S-PQCC-N16 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 长度 | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| 低-偏置 | NO | NO | NO |
| 低-失调 | YES | YES | YES |
| 微功率 | NO | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 负供电电压上限 | -5.5 V | -5.5 V | -5.5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVQCCN | HVQCCN | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC16,.12SQ,20 | LCC16,.12SQ,20 | LCC16,.12SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 功率 | NO | NO | NO |
| 可编程功率 | NO | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 标称压摆率 | 200 V/us | 200 V/us | 200 V/us |
| 最大压摆率 | 12.1 mA | 12.1 mA | 12.1 mA |
| 供电电压上限 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 200000 kHz | 200000 kHz | 200000 kHz |
| 宽带 | YES | YES | YES |
| 宽度 | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| 包装方法 | TR | - | TR |
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