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IPA95R1K2P7XKSA1

产品描述MOSFET N-CH 950V 6A TO252
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共14页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IPA95R1K2P7XKSA1在线购买

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IPA95R1K2P7XKSA1概述

MOSFET N-CH 950V 6A TO252

IPA95R1K2P7XKSA1规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)950V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.2 欧姆 @ 2.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)15nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)478pF @ 400V
功率耗散(最大值)27W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220 整包
封装/外壳TO-220-3 整包
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