MOSFET N-CH 950V 6A TO252
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 950V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.2 欧姆 @ 2.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 140µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 478pF @ 400V |
功率耗散(最大值) | 27W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO220 整包 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
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