电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

1EDC60H12AHXUMA1

产品描述IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP
产品类别半导体    模拟混合信号IC   
文件大小509KB,共18页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1EDC60H12AHXUMA1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1EDC60H12AHXUMA1 - - 点击查看 点击购买

1EDC60H12AHXUMA1概述

IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP

1EDC60H12AHXUMA1规格参数

参数名称属性值
技术磁耦合
通道数1
电压 - 隔离2500Vrms
上升/下降时间(典型值)10ns,9ns
电压 - 电源3.1 V ~ 17 V,13 V ~ 35 V
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装PG-DSO-8-59

1EDC60H12AHXUMA1相似产品对比

1EDC60H12AHXUMA1 1EDC05I12AHXUMA1 1EDC20H12AHXUMA1 1EDC20I12AHXUMA1 1EDC40I12AHXUMA1 1EDC60I12AHXUMA1
描述 IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP IC IGBT GATE DRIVER UL 8DSOP
技术 磁耦合 磁耦合 磁耦合 磁耦合 磁耦合 磁耦合
通道数 1 1 1 1 1 1
电压 - 隔离 2500Vrms 2500Vrms 2500Vrms 2500Vrms 2500Vrms 2500Vrms
上升/下降时间(典型值) 10ns,9ns 10ns,9ns 10ns,9ns 10ns,9ns 10ns,9ns 10ns,9ns
电压 - 电源 3.1 V ~ 17 V,13 V ~ 35 V 3.1 V ~ 17 V 3.1 V ~ 17 V 3.1 V ~ 17 V,13 V ~ 35 V 3.1 V ~ 17 V,13 V ~ 35 V 3.1 V ~ 17 V,13 V ~ 35 V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ) -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 8-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装 PG-DSO-8-59 PG-DSO-8-59 PG-DSO-8-59 PG-DSO-8-59 PG-DSO-8-59 PG-DSO-8-59

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 3  57  425  1323  1688 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved