MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT
参数名称 | 属性值 |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 120V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 7.5 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 46nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3300pF @ 60V |
功率耗散(最大值) | 136W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
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