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1N6166US

产品描述TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小481KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N6166US概述

TVS DIODE

1N6166US规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压90.25 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压144 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压76 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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