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IDT71V2579YS85BG

产品描述Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
产品类别存储   
文件大小288KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT71V2579YS85BG概述

Cache SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

IDT71V2579YS85BG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明BGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e3
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

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