MOSFET N-CH 40V 75A TO-262
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 5.5 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3000pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| IRF4104L | IRF4104 | IRF4104S | |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A TO-262 | MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 符合 |
| 包装说明 | - | PLASTIC PACKAGE-3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | - | compliant | compliant |
| 其他特性 | - | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas） | - | 220 mJ | 220 mJ |
| 外壳连接 | - | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | - | 40 V | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID) | - | 75 A | 75 A |
| 最大漏源导通电阻 | - | 0.0055 Ω | 0.0055 Ω |
| FET 技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | - | TO-220AB | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | - | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 3 | 2 |
| 工作模式 | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | - | 470 A | 470 A |
| 表面贴装 | - | NO | YES |
| 端子形式 | - | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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