MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-261AA |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | NOT SPECIFIED |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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