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ZVN4306AVSTOA

产品描述MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小184KB,共4页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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ZVN4306AVSTOA概述

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

ZVN4306AVSTOA规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)330 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)350pF @ 25V
功率耗散(最大值)850mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装E-Line(TO-92 兼容)
封装/外壳E-Line-3

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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 1 – FEBRUARY 95
FEATURES
* 60 Volt V
DS
* R
DS(on)
= 0.33Ω
* Repetitive Avalanche Rating
APPLICATIONS
* Solenoids / relay drivers for automotive
* Stepper Motor Drivers
* DC-DC convertors
ZVN4306AV
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
Practical Continuous Drain Current at
T
amb
=25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Practical Power Dissipation at T
amb
=25°C*
Avalanche Current-Repetitive
Avalanche Energy-Repetitive
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
DS
I
D
I
DP
I
DM
V
GS
P
tot
P
totp
I
AR
E
AR
T
j
:T
stg
VALUE
60
1.1
1.3
15
±
20
850
1.13
1
25
-55 to +150
UNIT
V
A
A
A
V
mW
W
A
mJ
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a P.C.B.
with copper equal to 1 inch square minimum

ZVN4306AVSTOA相似产品对比

ZVN4306AVSTOA ZVN4306AVSTOB
描述 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60V 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A(Ta) 1.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V 5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 330 毫欧 @ 3A,10V 330 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 25V 350pF @ 25V
功率耗散(最大值) 850mW(Ta) 850mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔
供应商器件封装 E-Line(TO-92 兼容) E-Line(TO-92 兼容)
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