MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 40pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| ZVN3310ASTOA | ZVN3310ASTOB | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 | MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 |
| FET 类型 | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 100V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 200mA（Ta） | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 10 欧姆 @ 500mA，10V | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 1mA | 2.4V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 40pF @ 25V | 40pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | E-Line（TO-92 兼容） | E-Line（TO-92 兼容） |
| 封装/外壳 | E-Line-3 | E-Line-3 |
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