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FDS4770

产品描述MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小103KB,共6页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FDS4770概述

MOSFET N-CH 40V 13.2A 8SOIC

FDS4770规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)13.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)7.5 毫欧 @ 13.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)67nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2819pF @ 20V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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