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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N968B
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1N968B

产品描述DIODE ZENER 20V 500MW DO35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB，共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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1N968B概述

DIODE ZENER 20V 500MW DO35

1N968B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
Samacsys Confidence
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID582143
Samacsys Pin Count2
Samacsys Part CategoryZener Diode
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameDIO_1N968B
Samacsys Released Date2017-01-11 16:35:06
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗25 Ω
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压20 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流6.2 mA
Base Number Matches1

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1N957B - 1N979B Zener Diodes
June 2007
1N957B - 1N979B
Zener Diodes
Tolerance = 5%
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Parameter
Power Dissipation
@ TL
≤
75°C, Lead Length = 3/8”
Derate above 75°C
Operating and Storage Temperature Range
Value
500
4.0
-65 to +200
Units
mW
mW/°C
°C
T
J
, T
STG
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
Electrical Characteristics
V
Z
(Volts)
Device
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
Min.
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
Typ.
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
T
A
=25°C unless otherwise noted
(Note 1)
Z
Z
(Ω)
@ I
Z
(mA)
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
(Note 2)
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
μA
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
Volts
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
Max.
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
Z
ZK
@ I
ZK
Ω
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
I
ZM
(mA)
(Note 3)
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
1N957B - 1N979B Rev. F1

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