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1N747ATR

产品描述DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小235KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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1N747ATR概述

DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

1N747ATR规格参数

参数名称属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)3.6V
容差±5%
功率 - 最大值500mW
阻抗(最大值)(Zzt)24 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流10µA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf1.5V @ 200mA
工作温度-65°C ~ 200°C
安装类型通孔
封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装DO-35

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Zeners 1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A
Zeners
1N4370A - 1N4372A
1N746A - 1N759A
Absolute Maximum Ratings *
Symbol
P
D
Parameter
Power Dissipation
@ TL
75°C, Lead Length = 3/8”
Derate above 75°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Temperature Range
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Tolerance = 5%
Units
mW
mW/°C
°C
Value
500
4.0
-65 to +200
* These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
DO-35 Glass case
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Electrical Characteristics
Device
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
Min.
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
11.40
Typ.
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
T
A
=25°C unless otherwise noted
V
Z
(V) @ I
Z
= 20mA
(Note 1)
Max.
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
Z
Z
(Ω) @ I
Z
= 20mA
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
I
ZM
(mA)
(Note 2)
I
R
(µA) @ V
R
= 1V
Ta = 25°C
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
Ta = 125°C
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
V
F
Forward Voltage = 1.5V Max @ I
F
= 200mA
Notes:
1. Zener Voltage (V
Z
)
The zener voltage is measured with the device junction in the thermal equilibrium at the lead temperature (T
L
) at 30°C ± 1°C and 3/8” lead length.
2. Maximum Zener Current Ratings (I
ZM
)
The maximum current handling capability on a worst case basis is limited by the actual zener voltage at the operation point and the power derating curve.
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