电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BC213L

产品描述TRANS PNP 30V 0.5A TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BC213L在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BC213L - - 点击查看 点击购买

BC213L概述

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

BC213L规格参数

参数名称属性值
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BC213L
BC213L
PNP General Purpose Amplifier
• This device is deisgned for use as general purpose amplifiers and
switches requiring collector currents to 300mA.
• Sourced from process 68.
• See PN200 for Characteristics.
1
TO-92
1. Emitter 2. Collector 3. Base
Absolute Maximum Ratings*
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
STG
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)-
- Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
-30
-45
-5.0
-500
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
°C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Off Characteristics
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
NF
h
fe
Parameter
Test Condition
I
C
= -2mA, I
B
= 0
I
C
= -10µA, I
E
= 0
I
E
= -10µA, I
C
= 0
V
CB
= -30V, I
E
= 0
V
EB
= -4.0V, I
C
= 0
V
CE
= -5V, I
C
= -10µA
V
CE
= -5V, I
C
= -2.0mA
I
C
= -10mA, I
B
= -0.5mA
I
C
= -100mA, I
B
= -5.0mA
I
C
= -100mA, I
B
= -5.0mA
V
CE
= -5.0V, I
C
= -2.0mA
V
CE
= -5.0V, I
C
= -10mA
f = 100MHz
V
CE
= -5.0V, I
C
= -200µA
R
G
= 2.0kΩ, f = 1.0KHz
I
C
= -2.0mA, V
CE
= -5.0V
f = 1.0KHz
80
-0.6
200
10
40
80
Min.
-30
-45
-5.0
-15
-15
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current gain Bandwidth Product
Noise Figure
Small Signal Current Gain
On Characteristics *
400
-0.25
-0.6
-1.1
-0.72
V
V
V
MHz
dB
Small Signal Characteristics
* Pulse Test: Pulse Width
300µs, Duty Cycle
2.0%
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002

BC213L相似产品对比

BC213L
描述 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92
厂商名称 ON Semiconductor(安森美)
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
Base Number Matches 1
M4如何通过3601在Kell4.22下仿真
最近拿到TI M4开发板,发现只能在CCS下使用,不知道用Keil的话 还是否需要装什么东西?...
chengtoby 微控制器 MCU
如何生成generate_hps_qsys_header.sh
当按照培训手册学习的事实。5.1.2要用batch file generate_hps_qsys_header.sh来生成hps_0.h头文件,请教如何生成generate_hps_qsys_header.sh ...
天一25 FPGA/CPLD
有谁做过STM8L15X芯片的电容触摸按键
我想用STM8L15X的芯片做触摸按键,有没有谁做过?用STM8S207的可以,但没有做过STM8L15X的,ST 公司的STMT/8L-EK1的开发板,好像大陆还没有卖。不知道行不行,还有用CT的方式是不是比RC的好。...
johnny235241 stm32/stm8
出现 Segment CSTART must be defined ,怎么处理?
出错信息如下: Fatal Error: Segment CSTART must be defined in a segment definition option (-Z, -b or -P) 该怎么处理呢?是新版的带WorkSpace的IAR编译环境。...
yingguol 微控制器 MCU
高频RFID射频电路原理
高频RFID频率是13.56MHz的,以最常用的RC500为例,射频输出两个脚TX1,TX2,接收一个脚RX,另外一个是RX的偏置电压VMID,让RX信号偏置到1/2电源电压位置,保证接收性能最好。 电路如下: ......
凤舞天 无线连接
现求大神帮忙
正弦波振荡电路 (1) 用文氏电桥制作带稳幅环节的正弦波振荡电路。 (2) 振荡频率可在500Hz——10kHz范围内调节。 (3) 正弦波的相位可在0——180度范围内调节。 想了好久了。可是设计的电路在 ......
1051900339 创意市集

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1472  944  1857  2896  1960  27  29  47  16  34 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved